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参数资料
| 型号： | 2SD2686 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, SC-62, 2-5K1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | 2SD2686 |
2SD2686
2006-11-21
2
Electrical Characteristics (Ta
= 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
ICBO
VCB = 45 V, IE = 0
10
A
Collector cutoff current
ICEO
VCE = 45 V, IE = 0
10
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 8 V, IC = 0
0.80
4.0
mA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
60
70
V
DC current gain
hFE
VCE = 2 V, IC = 1.0 A
2000
VCE (sat) (1) IC = 0.5 A, IB = 1 mA
1.2
V
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat) (2) IC = 1.0 A, IB = 1 mA
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1.0 A, IB = 1 mA
2.0
V
Rise time
ton
0.4
Storage time
tstg
4.0
Switching time
Fall time
tf
See Figure 1 circuit diagram.
VCC 30 V, RL = 30
0.6
s
Figure 1.
Switching Time Test Circuit
& Timing Chart
Input
Output
30Ω
VCC≒30V
20μs
Duty cycle＜1％
Marking
3
H
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
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PDF描述 |
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