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参数资料
| 型号： | 2SJ506L |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 30 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 14/14页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2SJ506L |
2SJ506(L), 2SJ506(S)
7
–20
–16
–12
–8
–4
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–10 V
–5 V
Pulse Test
V
= 0.5 V
GS
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =
PW
T
ch – c(t) = s (t)
ch – c
ch – c = 6.25
°C/W, Tc = 25 °C
θ
γ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1 shot
Pulse
Tc = 25
°C
Pulse Width
PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
V
(V)
SD
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
s
(t)
γ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ506S | 10 A, 30 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ518AZTL-E | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ527(S) | 0.8 ohm, POWER, FET |
| 2SJ527(L) | 0.8 ohm, POWER, FET |
| 2SJ527(L) | 0.8 ohm, POWER, FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ506L-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ506S | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Hight Speed Power Switching |
| 2SJ506S-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(2) 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(2) |
| 2SJ506STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ506STR-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:0 |
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