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参数资料
| 型号： | 2SJ538 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SJ538 |
2SJ538
No. A0519-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
20
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
70
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
210
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
140
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--8A
58
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--8A
7
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--8A
17
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--8A, VGS=0V
--1.0
--1.5
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7518-004
7003-004
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP
PW=10
s
D.C.
≤1%
0V
--10V
VIN
P.G
50
G
S
ID= --8A
RL=1.87
VDD= --15V
VOUT
2SJ538
VIN
D
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ539 | 10 A, 60 V, 0.36 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ540-E | 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ550STL-E | 15 A, 60 V, 0.155 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ567 | 2.5 A, 200 V, 2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ576 | 100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ538 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P I-PAK |
| 2SJ539 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ539-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box |
| 2SJ540 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ540-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
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