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参数资料
| 型号： | 2SJ551(S) |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SJ551(S) |
2SJ550(L), 2SJ550(S)
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-633A (Z)
2nd. Edition
Jul. 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 0.075 typ.
Low drive current.
4V gate drive devices.
High speed switching.
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
D
G
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SJ557 | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SJ551STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ552 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ552(L) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ552(S) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB |
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