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参数资料
| 型号： | 2SJ648 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | USM, SC-75, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2SJ648 |
Data Sheet D16597EJ2V0DS
2
2SJ648
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS =
20 V, VGS = 0 V
1.0
A
Gate Leakage Current
IGSS
VGS = m12 V, VDS = 0 V
m10
A
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS =
10 V, ID = 1.0 mA
0.8
1.3
1.8
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |
VDS =
10 V, ID = 0.2 A
0.2
0.6
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)1
VGS =
4.5 V, ID = 0.2 A
1.17
1.45
RDS(on)2
VGS =
4.0 V, ID = 0.2 A
1.25
1.55
RDS(on)3
VGS =
2.5 V, ID = 0.15 A
2.25
2.98
Input Capacitance
Ciss
VDS = –10 V
29
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V
15
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
3.0
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD =
10 V, ID = 0.2 A
23
ns
Rise Time
tr
VGS =
4.0 V
39
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 10
50
ns
Fall Time
tf
33
ns
Body Diode Forward Voltage
VF(S-D)
IF = 0.4 A, VGS = 0 V
0.93
V
Note Pulsed PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
TEST CIRCUIT SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS ()
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
τ
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS()
VDS()
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ648-A | 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ649 | 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ651 | 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ663-TL | 9 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ664 | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ648-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Pch MOSFET,20V,0.4A,1.17ohm,USM3 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R |
| 2SJ649 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SJ649-AZ | 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ650 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ651 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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