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参数资料
| 型号： | 2SJ648 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | USM, SC-75, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2SJ648 |
Data Sheet D16597EJ2V0DS
4
2SJ648
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
1
2
3
4
0
- 2
- 4
- 6
- 8
- 10
- 12
Pulsed
ID =
0.20 A
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
1
2
3
4
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
VGS =
4.5 V
Pulsed
25°C
75°C
TA = 125°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
1
2
3
4
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
VGS =
4.0 V
Pulsed
25°C
75°C
TA = 125°C
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
1
2
3
4
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
VGS =
2.5 V
Pulsed
25°C
75°C
TA = 125°C
ID - Drain Current - A
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
1
10
100
- 0.1
- 1
- 10
- 100
VGS = 0 V
f = 1.0 MHz
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
VDD =
10 V
VGS =
4.0 V
RG = 10
td(off)
td(on)
tf
tr
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-Capacitance
-pF
VDS - Drain to Source Voltage - V
td(
on)
,t
r,t
d(
off)
,t
f-
Switching
Time
-ns
ID - Drain Current - A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ648-A | 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2SJ651 | 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ663-TL | 9 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ664 | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SJ650 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ651 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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