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参数资料
| 型号： | 2SJ651 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ651 |
2SJ651
No.7501-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
2200
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
220
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
165
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
18
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
115
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
190
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
120
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--20A
45
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--20A
7.4
nC
Gate-to-Drain“Miller”Charge
Qgd
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--20A
9
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--20A, VGS=0V
--0.95
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
7508-003
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
10.0
3.2
4.5
2.8
16.0
18.1
5.6
14.0
3.5
7.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
12
3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-220ML
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --10A
RL=3
VDD= --30V
VOUT
2SJ651
VIN
0V
--10V
VIN
50
0V
--10V
≥50
RG
VDD
L
2SJ651
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SJ666-TL | 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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