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参数资料
| 型号： | 2SJ651 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ651 |
2SJ651
No.7501-4/5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
0
100
7
1000
5
7
5
3
2
3
2
--30
--5
--15
--20
--25
--10
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT06178
0
--2
--1
--4
--3
--5
--6
--7
--8
--9
45
25
30
35
40
10
515
20
--10
VGS -- Qg
IT06179
VDS= --30V
ID= --20A
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
-
W
Case Temperature, Tc --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
-
W
A S O
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
2
--100
--1.0
--0.1
2
3
57
2
3
5
7
2
3
57
--0.1
--1.0
--10
--100
IT06180
0
20
40
0.5
60
1.5
1.0
80
100
120
2.0
2.5
140
160
PD -- Ta
IT06181
Operation in this area
is limited by RDS(on).
ID= --20A
IDP= --80A
DC
operation
≤10s 10
s
100
s
10ms
100ms
1ms
Tc=25
°C
Single pulse
0
20
40
60
80
100
120
25
20
15
5
10
30
140
160
PD -- Tc
IT06182
0
25
50
75
100
125
150
100
80
60
20
40
120
175
EAS -- Ta
A
valanche
Ener
gy
derating
factor
--
%
IT10417
Ambient Temperature, Ta --
°C
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PDF描述 |
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