参数资料
型号: 2SJ651
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: JFETs
英文描述: 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装: TO-220ML, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 38K
代理商: 2SJ651
2SJ651
No.7501-3/5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Drain
Current,
I
D
-
A
IT06170
ID -- VGS
IT06171
0
--35
--45
--15
--25
--5
--40
--20
--30
--10
--5.0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
0
--40
--50
--20
--30
--10
--35
--45
--15
--25
--5
--5.0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
ID -- VDS
Tc=25
°C
--6V
--10V
--4V
--8V
T
c=
--25
°C
--25
°C
75
°C
T
c=
75
°C
25
°C
25
°C
VGS= --3V
VDS= --10V
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
-
A
Drain Current, ID -- A
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Cutof
fV
oltage,
V
GS
(of
f)
-
V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Case Temperature, Tc --
°C
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Case Temperature, Tc --
°C
RDS(on) -- VGS
IT06172
RDS(on) -- Tc
IT06173
0
160
40
20
0
140
120
60
80
100
120
140
--10
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
--9
ID= --10A
Tc= 75°C
25
°C
20
40
60
80
100
I D
= --
10A,
V GS
= --
4V
ID=
--10A,
VGS
= --
10V
--25
°C
--0.1
--1.0
23
5
7
--10
22
35
7
3
100
5
7
5
3
2
7
3
2
10
SW Time -- ID
IT06177
IT06175
--0.1
10
23
5
7
23
5
7
23
5
7
--1.0
--100
--10
100
5
7
5
3
2
7
5
3
2
1.0
7
yfs -- ID
--50
0
--25
0
25
50
75
100
--2.0
--1.5
--0.5
--1.0
--2.5
125
150
VGS(off) -- Tc
IT06174
VDD= --30V
VGS= --10V
td(off)
tf
t r
td(on)
VDS= --10V
Tc=
--25
°C
25°
C
75°
C
VDS= --10V
ID= --1mA
IT06176
0
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
IS -- VSD
VGS=0V
T
c=75
°C
25
°C
--25
°C
--0.01
--100
--0.1
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
7
5
3
2
相关PDF资料
PDF描述
2SJ663-TL 9 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ664 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ664-TL 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ666 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ666-TL 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SJ651_03 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SJ651-S 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SJ652 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SJ652_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
2SJ652-1E 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel