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参数资料
| 型号： | 2SJ687 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | MP-3ZK, TO-252, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | 2SJ687 |
Data Sheet D18719EJ2V0DS
6
2SJ687
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
IAS
-Single
Av
alanch
eCurrent
-A
-1
-10
-100
0.01
0.1
1
10
Starting Tch = 25
°C
VDD =
10 V
RG = 25
Ω
VGS =
12 → 0 V
IAS =
20 A
EAS = 40 mJ
L - Inductive Load - mH
E
nergy
De
rating
Factor
-
%
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
VDD =
10 V
RG = 25
Ω
VGS =
12 → 0 V
IAS
≤ 20 A
Starting Tch - Starting Channel Temperature -
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ687-ZK-E2-AY | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SJ687-ZK-E1-AY | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SJ687-ZK-E2-AY | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK0601G | 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK0620 | 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ687-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET P-CH -20V -20A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ687-ZK-E2-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ73 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | DUAL | 5MA I(DSS) |
| 2SJ74 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:P CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SJ74_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Low Noise Audio Amplifier Applications |
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