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参数资料
| 型号： | 2SK0662G |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | 2SK0662G |
2SK0662G
3
SJF00055CED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
SMini3-F2
Unit: mm
0.30
+0.05
0.02
0.13
+0.05
0.02
2.00 ±0.20
(0.89)
0.90
±0.10
(0.65)
1.30 ±0.10
1.25
±0.10
2.10
±0.10
0.425
±0.050
(0.49)
0to
0.10
(5
°)
(5°)
3
12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SK0663P | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK0663 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Amplification |
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| 2SK06630RL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK0663GRL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK0664 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
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