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参数资料
| 型号： | 2SK1968 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 600 V, 0.88 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SK1968 |
2SK1968
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
600
V
Gate to source voltage
V
GSS
±30
V
Drain current
I
D
12
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
48
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
12
A
Channel dissipation
Pch*
2
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes
1. PW 10 s, duty cycle 1 %
2. Value at Tc = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SK1942-01 | 3 A, 900 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK198 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1981-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK1983-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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