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参数资料
| 型号： | 2SK2094 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 60 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2SK2094 |
2SK2094
Transistors
Rev.A
4/4
0.5
1
1.5
0
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
VGS
=0V
Pulsed
Ta
=125°C
75
°C
25°C
25
°C
Fig.10 Reverse Drain Current
Fig.10 vs. Source-Drain Voltage (
Ι )
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
0.5
1.5
VGS
=10V
0V
Ta
=25
°C
Pulsed
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
Fig.11 Reverse Drain Current
Fig.11 vs. Source-Drain Voltage (
ΙΙ )
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
120
100
200
500
1000
2000
2100
50
20
510
50
Ta
=25
°C
f
=1MHz
VGS
=0V
Pulsed
Ciss
Coss
Crss
Fig.12 Typical Capacitance
Fig.12 vs. Drain-Source Voltage
CAPACITANCE
:
C
(pF)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
0.02
500
SWITCHING
TIME
:
t
(ns)
DRAIN CURRENT : I D
(A)
Fig.13
Switching characteristics
(See Figure. 15 and 16 for
the measurement circuit and
resultant waveforms)
200
100
50
20
10
5
2
0.05 0.1
0.2
0.5
1
2
5
Ta
=25°C
VDD
=30V
VGS
=10V
RG
=10
Pulsed
tf
td(off)
tr
td(on)
NORMALIZED
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
:
r
(
t
)
PULSE WIDTH : PW
(s)
Fig.14 Normalized Transient Thermal Resistance vs . Pulse Width
10
100
1m
10m
100m
1
10
1
0.1
0.01
0.001
0.02
0.05
0.1
D=1
0.2
0.5
Tc=25
°C
θth(ch-c) (t)=r (t) θth (ch-c)
θth(ch-c) =6.25°C/W
PW
T
D=PW
T
Single pulse
0.01
Switching characteristics measurement circuit
Fig.15 Switching Time Test Circuit
V
GS
R
G
V
DS
D.U.T.
I
D
R
L
V
DD
90%
50%
10%
90%
10%
50%
Pulse Width
10%
V
GS
V
DS
90%
tf
t
off
td(off)
t
r
ton
td(on)
Fig.16 Switching Time Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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