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参数资料
| 型号： | 2SK2210 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 4 A, 750 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220E |
| 封装： | TO-220E, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | 2SK2210 |
RDS(on) – ID
IAS – L-load
RDS(on) – TC
| Yfs | – ID
Vth – TC
Area of safe operation (ASO)
PD – Ta
ID –VDS
ID – VGS
Power F-MOS FETs
2SK2210
1000
10
300
3
2
30
20
1
0.2
0.3
0.1
0.03
100
30
310
Drain-Source voltage VDS (V)
Drain
current
I
D
(A
)
Non repetitive pulse
TC=25C
Broken lines indicate the ASO renge of TC=85C
IDP
ID
t=0.5ms
t=100ms
t=1ms
t=10ms
t=1ms
t=10ms
t=100ms
t=1ms
t=10ms
t=100ms
DC
t=100ms
0
10
20
30
40
50
60
020
40
60
80 100 120 140 160
Ambient temperature Ta (C)
Allowable
power
dissipation
P
D
(W
)
(1) TC=Ta
(2) Without heat sink
(PD=2W)
(1)
(2)
0.1
1
0.2
2
0.5
0.05
5
0.3
3
10
0.1
0.01
0.3
0.03
1
L-load (mH)
Abalanche
current
I
AS
(A)
VDD=50V
40mJ (TC=25C)
22.5mJ (TC=85C)
1.6mJ (TC=150C)
Drain-Source voltage
VDS
(V)
Drain
current
I
D
(A
)
TC=25C
0
1
2
3
4
5
6
0
1020304050
60
4V
4.5V
5V
50W
V
GS
=6V
5.5V
0
1
2
3
4
5
6
02468
10
12
Gate-Source voltage VGS
(V)
Drain
current
I
D
(A
)
VDS=25V
TC=25C
TC=150C
0
1
2
3
4
5
6
0
25
50
75
100
125
150
Case temperature TC (C)
Gate
threshold
voltage
V
th
(V
)
VDS=25V
ID=1mA
max.
typ.
min.
0
01
2
3
45
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Drain current ID (A)
Forward
transadmittance
|
Y
fs
|
(S
)
VDS=25V
TC=25C
0
1
2
3
4
5
6
-25
125
100
75
50
25
0
150
Case temperature TC (C)
Drain-Source
ON-resistance
R
DS(on)
(
)
VGS=10V
ID=2.0A
max.
min.
typ.
0
01
2
3
45
1
2
3
4
5
6
Drain current ID (A)
Drain-Source
ON-resistance
R
DS(on)
(
)
TC=25C
VGS=6V
10V
15V
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PDF描述 |
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