| 型号: | 2SK2393 |
| 厂商: | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述: | Silicon N-Channel MOS FET(N沟道MOSFET) |
| 中文描述: | 硅N沟道场效应晶体管(不适用沟道MOSFET的) |
| 文件页数: | 1/8页 |
| 文件大小: | 53K |
| 代理商: | 2SK2393 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK2393-E | 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL |
| 2SK2394 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Noise HF Amp Applications |
| 2SK2394_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Junction Silicon FET Low-Noise HF Amplifi er Applications |
| 2SK2394-6-TB-E | 功能描述:JFET N-CH 15V 50MA CP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK2394-7-TB-E | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |