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参数资料
| 型号： | 2SK2586 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N沟道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N沟道场效应晶体管（不适用沟道MOSFET的） |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SK2586 |
2SK2586
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
D(pulse)
*
I
DR
*
I
AP
*
E
AR
*
P
ch
*
T
ch
T
stg
60
V
Gate to source voltage
±
20
60
V
Drain current
2
A
Drain peak current
1
240
A
Body to drain diode reverse drain current
2
60
A
Avalanche current
3
45
A
Avalanche energy
3
174
mJ
Channel dissipation
2
125
W
Channel temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
–55 to +150
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