参数资料
型号: 2SK2591
元件分类: JFETs
英文描述: 8 A, 500 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: TO-220CFM, 3 PIN
文件页数: 1/4页
文件大小: 22K
代理商: 2SK2591
2SK2591
Silicon N-Channel MOS FET
Preliminary
November 1996
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
No secondary breakdown
Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
1
2
3
TO-220CFM
1. Gate
2. Drain
3. Source
D
G
S
相关PDF资料
PDF描述
2SK2593GQ 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK2595 RF POWER, FET
2SK2595 RF POWER, FET
2SK2596 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
2SK2596 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK2592 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-262AA
2SK2593 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET
2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK2593P 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A