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参数资料
| 型号： | 2SK2744 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 45 A, 50 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 2-16C1B, SC-65, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | 2SK2744 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2745 | 50 A, 50 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2749 | 7 A, 900 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2777(2-10S1B) | 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2786-11-C | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2789(TO-220FL) | 27 A, 100 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2744(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN |
| 2SK2744F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET |
| 2SK2745 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK2745(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 50A 3-Pin (3+Tab) TO-3PN 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 50A 3-Pin (3+Tab) TO-3PN Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50A TO-3PN |
| 2SK2746 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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