参数资料
型号: 2SK2912S-E
元件分类: JFETs
英文描述: 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: LDPAK-3
文件页数: 14/14页
文件大小: 76K
代理商: 2SK2912S-E
2SK2912(L), 2SK2912(S)
7
50
40
30
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
= 0, –5 V
GS
10 V
5 V
200
160
120
80
40
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (
°C)
Repetive
Avalanche
Energy
E
(mJ)
AR
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
VDD
50
Vin
15 V
0
I D
VDS
I AP
V(BR)DSS
L
VDD
E
=
L I
2
1
V
– V
AR
AP
DSS
DD
2
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
Source to Drain Voltage
V
(V)
SD
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
I
= 40 A
V
= 25 V
duty < 1 %
Rg > 50
AP
DD
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