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参数资料
| 型号： | 2SK2912S-E |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LDPAK-3 |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SK2912S-E |
2SK2912(L), 2SK2912(S)
10
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
LDPAK (S)-(1)
—
1.3 g
10.2
± 0.3
1.27
± 0.2
(1.5)
(1.4)
8.6
±0.3
10.0
+
0.3
–
0.5
4.44
± 0.2
1.3
± 0.15
0.1
+ 0.2
– 0.1
0.4
± 0.1
0.86
+ 0.2
– 0.1
2.54
± 0.5
2.54
± 0.5
1.2
± 0.2
3.0
+
0.3
–
0.5
(1.5)
7.8
6.6
2.2
1.7
7.8
7.0
As of January, 2001
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2912S | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2912STL-E | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK291PRF | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK291TRF | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK291QRR | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2914 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 250V 7.5A 3PIN TO-220 - Rail/Tube |
| 2SK2914(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 7.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 250V 7.5A TO-220AB |
| 2SK2915 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK2915(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bulk |
| 2SK2915(Q,T) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson 0.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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