型号: | 2SK3062-Z-AZ |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 70 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 207K |
代理商: | 2SK3062-Z-AZ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK3062-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
2SK3064 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
2SK306400L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK3064G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK3065 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |