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参数资料
| 型号： | 2SK3062-Z-AZ |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | 2SK3062-Z-AZ |
Data Sheet D13101EJ2V0DS
7
2SK3062
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-220AB (MP-25)
2)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3)TO-263 (MP-25ZJ)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
(10)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(0.5R)
(0.8R)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
(10)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
1.1±0.4
4
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(0.5R)
(0.8R)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.0±0.3
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
EQUIVALENT CIRCUIT
Note This Package is produced only in Japan.
4)
TO-220SMD(MP-25Z)
Note
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3069 | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3069 | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3070(S) | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3070(S) | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3070(L) | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3062-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3064 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK306400L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3064G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3065 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
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