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参数资料
| 型号： | 2SK3070L |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LDPAK-3 |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SK3070L |
2SK3070(L),2SK3070(S)
6
0.1
0.3
1
3
10
30
100
010
20
30
40
50
1000
10000
3000
100
80
60
40
20
0
20
16
12
8
4
80
160
240
320
400
0
1000
100
200
20
10
0.1 0.2
2
10
100
1000
500
100
200
20
50
10
di / dt = 50 A /
s
V
= 0, Ta = 25
°C
GS
300
20
1
100
V
= 0
f = 1 MHz
GS
Ciss
Coss
Crss
I
= 75 A
D
VGS
VDS
DD
V
= 40 V
25 V
10 V
0.5
5
500
50
V
= 10 V, V
= 30 V
PW = 5
s, duty < 1 %
GS
DD
r
t
d(on)
t
d(off)
t
t f
30000
V
= 40 V
25 V
10 V
DD
Reverse Drain Current
I
(A)
DR
Reverse
Recovery
Time
trr
(ns)
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge
Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS
Gate
to
Source
Voltage
V
(V)
GS
Dynamic Input Characteristics
Drain Current
I
(A)
D
Switching
Time
t
(ns)
Switching Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3134(L) | |
| 2SK3134(S) | |
| 2SK3135(L) | |
| 2SK3135(S) | |
| 2SK3147(L) | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3070L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3070S | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3070STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3072 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3072-TB-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 450V 0.03A 275 bo Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 450V 0.03A TO-253 |
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