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参数资料
| 型号： | 2SK3239L-E |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SC-63, DPAK-3 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | 2SK3239L-E |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7
Source to Drain Voltage VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Width PW (s)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ S
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Switching Time Test Circuit
Waveforms
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
VGS = 0, –5 V
5 V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =
PW
T
θch – c(t) = γs (t) θch – c
θch – c = 6.25°C/W, Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1 shot
Pulse
Tc = 25
°C
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
4 V
RL
VDD
= 10 V
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
tf
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