参数资料
型号: 2SK3288
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: MPAK-3
文件页数: 8/10页
文件大小: 56K
代理商: 2SK3288
2SK3288
5
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
= 0,-5V
GS
5 V
Pulse Test
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain Current
I
(A)
D
Switching
Time
t
(ns)
Switching Characteristics
Source to Drain Voltage
V
(V)
SD
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10 V
010
20
30
40
50
10
1.0
0.1
0.2
0.5
2
5
Ciss
Coss
Crss
V
= 0
f = 1 MHz
GS
10000
1000
100
10
0.01
0.1
0.05
0.02
V
= 10 V, V
= 10 V
PW = 5 s, duty < 1 %
GS
DD
d(on)
t
r
t
d(off)
t
t f
20
50
200
500
2000
5000
相关PDF资料
PDF描述
2SK3290 SMALL SIGNAL, FET
2SK3290 500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SK3299-S 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
2SK3299-ZJ 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SK3309(2-10S2B) 10 A, 450 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK3288ENTL 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A MPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3289 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
2SK3289AN(TL-E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK3290 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
2SK3290BNTL 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape