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参数资料
| 型号： | 2SK3391 |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 中文描述： | 硅N沟道场效应晶体管超高频功率放大器 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SK3391 |
2SK3391
Electrical Characteristics
Rev.2.00, Apr.14.2004, page 2 of 4
(Ta = 25°C)
Item
Zero gate voltage drain
current
Gate to source leak current
Gate to source cutoff voltage
Input capacitance
Output capacitance
Output Power
Symbol
I
DSS
Min
—
Typ
—
Max
10
Unit
μ
A
Test Conditions
V
DS
= 13.7 V, V
GS
= 0
I
GSS
V
GS(off)
Ciss
Coss
Pout
—
2.3
—
—
1.6
—
—
10
3.5
—
±5
3.1
—
—
—
μ
A
V
pF
pF
W
V
GS
= ±10 V, V
DS
= 0
I
D
= 1 mA, V
DS
= 13.7 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0, f = 1 MHz
V
DS
= 13.7 V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
V
DS
= 13.7 V, I
DO
= 0.15 A
f = 836 MHz, Pin = 25.1 mW
V
DS
= 13.7 V, I
DO
= 0.15 A
f = 836 MHz, Pin = 25.1 mW
Added Efficiency
η
add
58
—
—
%
Main Characteristics
8
6
4
2
0
50
100
150
200
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Maximum Channel Power
Dissipation Curve
0.8
2
3
4
5
6
7
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
V
DS
= 13.7 V
Pulse Test
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
0.01
1
0.3
0.03
0.1
0.03
0.1
0.3
1
0.01
Drain Current I
D
(A)
F
f
|
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
V
DS
= 13.7 V
Pulse Test
Tc = - 25
°
C
25
°
C
75
°
C
Tc = 75
°
C
25
°
C
- 25
°
C
0.6
0.4
0.2
0.0
0.001 0.003
0.001
0.003
1.5
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 4 V
6 V
5 V
Pulse Test
8 V
10 V
7 V
1
0.5
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