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参数资料
| 型号： | 2SK3430-Z |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 80 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | 2SK3430-Z |
Data Sheet D14599EJ3V0DS
2
2SK3430
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 40 V, VGS = 0 V10
A
Gate Leakage Current
IGSS
VGS = ±20 V, VDS = 0V
±10
A
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
1.5
2.0
2.5
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |VDS = 10 V, ID = 40 A20
40
S
RDS(on)1
VGS = 10 V, ID = 40 A
5.9
7.3
m
Drain to Source On-state Resistance
RDS(on)2
VGS = 4 V, ID = 40 A
10.5
15
m
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V,
2800
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V,
730
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
320
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD = 20 V, ID = 40 A
110
ns
Rise Time
tr
VGS = 10 V
1800
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 10
170
ns
Fall Time
tf
350
ns
Total Gate Charge
QG
VDD = 32 V50
nC
Gate to Source Charge
QGS
VGS = 10 V10
nC
Gate to Drain Charge
QGD
ID = 80 A14
nC
Body Diode Forward Voltage
VF(S-D)
IF = 80 A, VGS = 0 V1.0
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 80 A, VGS = 0 V50
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
s77
nC
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
RG = 25
50
PG.
L
VDD
VGS = 20
→ 0 V
BVDSS
IAS
ID
VDS
Starting Tch
VDD
D.U.T.
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
VGS
Wave Form
ID
Wave Form
VGS
10%
90%
VGS
10%
0
ID
90%
td(on)
tr td(off)
tf
10%
τ
ID
0
ton
toff
PG.
50
D.U.T.
RL
VDD
IG = 2 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SK3432-AZ | 83 A, 40 V, 0.0069 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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