参数资料
型号: 2SK3480-AZ
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
标准包装: 200
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫欧 @ 25A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 散装
2SK3480
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
140
120
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
60
60
40
40
20
20
0
20
40
60
80
100
120 140
160
0
20
40
60
80
100
120 140
160
1000
T C - Case Temperature - ?C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ? C
ite 0 V) Po
Lim = 1
i e r i
) Lim we
on
GS
R D at V
10
m
10
s
ipa
tio
100
10
(
d
I D(DC)
DC
t D
S( d ss
I D(pulse)
1
s
m
n
0
PW
μ s
=
10
μ s
1
T C = 25 ? C
Single Pulse
0.1
0.1 1
10
100
1000
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
T C = 25?C
R th(ch-A) = 83.3?C/W
R th(ch-C) = 1.48?C/W
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
Single Pulse
100 1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D15078EJ1V0DS
3
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