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参数资料
| 型号： | 2SK3480-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 25A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3480
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
Pulsed
100
100
80
V GS =10 V
10
T A = ? 40?C
25 ? C
75 ? C
150 ? C
60
40
4.5 V
1
20
0.1
1
2
3
V DS = 10 V
4 5
0
0
1
2
3
4
Pulsed
5
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100 V DS = 10 V
Pulsed
50
Pulsed
40
10
T A = 150?C
1
0.1
75 ? C
25 ? C
? 40 ? C
30
20
10
I D = 50 A
25 A
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
80
Pulsed
4.0
3.0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
60
2.0
40
V GS = 4.5 V
1.0
20
10 V
0
0.1
1
10
100
0
? 50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D15078EJ1V0DS
T ch - Channel Temperature - ? C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3481-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK3480-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3481 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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