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参数资料
| 型号： | 2SK3480-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 25A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3480
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)
TO-220AB(MP-25)
2) TO-262(MP-25 Fin Cut)
10.6 MAX.
φ 3.6±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3±0.2
10.0 TYP.
4
4
1 2 3
1.3±0.2
1
2
3
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5±0.2
2.8±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4.Fin (Drain)
4) TO-220SMD(MP-25Z)
3)
TO-263 (MP-25ZJ)
Note
10 TYP.
4.8 MAX.
10 TYP.
4.8 MAX.
4
1.3±0.2
4
1.3±0.2
1
2
3
1
2
3
P.
TY
0.8
P.
.5R TY
R
2.54 TYP. 0
1.4±0.2
0.7±0.2
2.54 TYP.
0.5
2.54 TYP.
R
TY
R
P
.
0.5±0.2
1.4±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
0
TY
.8
P.
0.5±0.2
EQUIVALENT CIRCUIT
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This package is produced only in Japan.
Gate
Gate
Protection
Diode
Drain
Source
Body
Diode
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
Data Sheet D15078EJ1V0DS
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK3480-S | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3480-Z | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3480-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD |
| 2SK3480-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3481 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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