型号: | 2SK3538 |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | LEAD FREE, 2-9F1C, 4 PIN |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 196K |
代理商: | 2SK3538 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SK3541T2L | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2SK3546G | 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2SK3549-01 | 10 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
2SK3562 | 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3568 | 12 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SK353900L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK3539G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK3541GT2L | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
2SK3541T2L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
2SK3541T2L-CUT TAPE | 制造商:ROHM 功能描述:Single N-Channel 150 mW 30 V 13 Ohm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - VMT-3 |