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参数资料
| 型号： | 2SK3541T2L |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V .1A VMT3 |
| 产品目录绘图： | 2SK3541, RSM, RTM Series VMT-3 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | VMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2SK3541T2LDKR |
2SK3541
Transistor
2.5V Drive Nch MOS FET
2SK3541
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
Applications
External dimensions (Unit : mm)
VMT3
1.2
0.32
(3)
Interfacing, switching (30V, 100mA)
0.22
(1) (2)
0.4 0.4
0.5
0.13
0.8
Features
(1)Gate
(2)Source
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for
portable equipment.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
Packaging specifications
(3)Drain
Abbreviated symbol : KN
Equivalent circuit
Package
Taping
Drain
Type
Code
Basic ordering unit
(pieces)
T2L
8000
2SK3541
Gate
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? Gate
Protection
Parameter
Drain-source voltage
Symbol
V DSS
Limits
30
Unit
V
Diode
Source
Gate-source voltage
Continuous
Drain current
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
V GSS
I D
I DP ? 1
P D ? 2
Tch
Tstg
± 20
± 100
± 400
150
150
? 55 to + 150
V
mA
mA
mW
° C
° C
? A pr otection diode is included between the gate
and the source terminals to protect the diode
against static electricity when the product is in use.
Use a protection circuit when the fixed voltages
are exceeded.
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 With each pin mounted on the recommended lands.
Rev.B
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