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参数资料
| 型号： | 2SK3703 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 30A TO-220ML |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1780pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 散装 |
Ordering number : EN7681B
2SK3703
N-Channel Power MOSFET
60V, 30A, 26m Ω , TO-220F-3SG
Features
http://onsemi.com
?
?
ON-resistance RDS(on)1=20m Ω (typ.)
4V drive
?
Input capacitance Ciss=1780pF (typ.)
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
60
±20
30
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
120
2.0
25
150
--55 to +150
135
30
A
W
W
° C
° C
mJ
A
Note : * 1 VDD=20V, L=200 μ H, IAV=30A (Fig.1)
* 2 L ≤ 200 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7529-001
Product & Package Information
? Package : TO-220F-3SG
? JEITA, JEDEC : SC-67
? Minimum Packing Quantity : 50 pcs./magazine
10.16
4.7
2SK3703-1E
3.18
2.54
Marking
Electrical Connection
2
A
2.76
K3703
LOT No.
1
1.47 MAX
0.8
DETAIL-A
(0.84)
3
1
2
3
0.5
1 : Gate
EMC
FRAME
2 : Drain
3 : Source
2.54
2.54
TO-220F-3SG
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
51612 TKIM TC-00002747/72506QA MSIM TC-00000067/61504 TSIM TA-100813 No.7681-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3745LS | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-220FI |
| 2SK3746 | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB |
| 2SK3748 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML |
| 2SK3793-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 |
| 2SK3811-ZP-E1-AY | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3703-1E | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel |
| 2SK3703-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES |
| 2SK3704 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3704-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES |
| 2SK3705 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 60A TO220F |
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