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参数资料
| 型号： | 2SK3703 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 30A TO-220ML |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1780pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 散装 |
2SK3703
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS= 60 V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
60
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID= 15 A
1.2
13
22
2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= 15 A, VGS=10V
ID= 15 A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
See Fig.2
VDS=30V, VGS=10V, ID=30A
IS=30A, VGS=0V
20
28
1780
266
197
16.5
110
166
144
40
6.5
11.5
1.0
26
40
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
L
10V
VIN
VDD=30V
0V
≥ 50 Ω
2SK3703
VIN
D
ID=15A
RL=2 Ω
VOUT
10V
0V
50 Ω
VDD
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
2SK3703
Ordering Information
P.G
50 Ω
S
2SK3703-1E
Device
Package
TO-220F-3SG
Shipping
50pcs./magazine
memo
Pb Free
No.7681-2/7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SK3704 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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