参数资料
型号: 2SK3703
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 30A TO-220ML
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 26 毫欧 @ 15A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1780pF @ 20V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220ML
包装: 散装
2SK3703
10
9
VDS=30V
ID=30A
VGS -- Qg
1000
7
5
3
ASO
1m
1
10 0 s
op
0m
era
tio
μ s
8
7
6
5
4
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
IDP=120A(PW ≤ 10 μ s)
ID=30A
DC
Operatuon in this
area is limited by RDS(on).
m
s
n
10
s
0 μ s
10
1.0
2
7
5
1
0
3
2
0.1
Tc=25 ° C
Single pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT05394
35
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT16832
30
2.0
25
1.5
1.0
20
15
10
0.5
5
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT05397
Case Temperature, Tc -- ° C
IT05396
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No.7681-4/7
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参数描述
2SK3703-1E 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel
2SK3703-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES
2SK3704 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3704-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES
2SK3705 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 60A TO220F