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参数资料
| 型号： | 2SK3738 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | SMCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | 2SK3738 |
2SK3738
No.7671-2/3
ITR00837
ID -- VDS
012
3
4
5
0
20
40
60
80
140
100
120
VGS=0
--0.2V
--0.4V
--0.6V
--0.8V
--1.0V
--1.2V
--1.4V
VGS=0
--0.2V
--0.4V
--0.6V
--0.8V
--1.0V
--1.2V
--1.4V
ITR00839
ID -- VGS
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ITR00838
ID -- VDS
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
100
120
140
VGS(off) -- IDSS
IT06669
yfs -- IDSS
IT06668
VDS=10V
IDSS=50A
VDS=10V
IDSS=100A
ITR00840
ID -- VGS
--2.0
--2.4
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
160
140
0
20
40
80
100
60
120
PD -- Ta
IT06670
Ta=25
°C
75
°C
--25
°C
Ta=25
°C
75
°C
--25
°C
IT06671
VGS=0
f=1MHz
1.0
23
5
7
10
35
7
2
7
5
7
5
3
1.0
10
Ciss -- VDS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Input
Capacitance,
Ciss
-
pF
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
-
mW
Drain Current, IDSS -- A
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
Drain Current, IDSS -- A
Cutof
f
V
oltage,
V
GS
(of
f)
--
V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Drain
Current,
I
D
--
A
Drain
Current,
I
D
--
A
Drain
Current,
I
D
--
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
57
2
33
100
7
--1.0
3
5
2
VDS=10V
ID=1A
2
37
5
100
3
2
0.1
5
7
VDS=10V
VGS=0
f=1kHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3738 | 1 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK3740-ZK | 20 A, 250 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3747 | 2 A, 1500 V, 13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3760 | 3.5 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3767 | 2 A, 600 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3738-TL-E | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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| 2SK3742 | 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3742(Q) | 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3742(Q,M) | 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 5A 45W PD Rdson 2.2 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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