- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33503 > 2SK3796 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3796 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | SMCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SK3796 |
2SK3796
No.8636-3/4
020
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
100
60
80
120
Ambient Temperature, Ta --
°C
PD -- Ta
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
mW
ITR00646
VGS=0V
f=1MHz
1.0
23
5
7
10
23
5
7
1.0
2
7
5
3
5
3
10
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss -- VDS
Input
Capacitance,
Ciss
--
pF
ITR00641
VGS=0V
f=1MHz
1.0
23
5
7
10
23
5
7
1.0
2
7
5
3
7
5
3
10
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Crss -- VDS
Output
Capacitance,
Crss
--
pF
ITR00642
G
S
D
ID
IGDL
DC
I DSS
=1.0mA
5.0m
A
3.0mA
Cutof
fV
oltage,
V
GS
(of
f)
--
V
ITR00637
VGS(off) -- IDSS
Drain Current, IDSS -- mA
57
1.0
23
5
7
10
2
7
--1.0
5
3
5
3
2
VDS=10V
ID=1.0A
ITR00638
Drain Current, ID -- mA
VDS=10V
f=1kHz
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
0.1
5
3
2
7
5
3
2
1.0
3
2
7
10
5
3
2
1.0
7
10
7
5
3
2
yfs -- ID
ITR00639
Drain Current, IDSS -- mA
VDS=10V
VGS=0V
f=1kHz
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
5
3
2
7
5
1.0
2
7
10
5
3
2
3
2
10
1.0
7
yfs -- IDSS
05
10
15
20
25
1p
5
3
10p
100p
10n
1n
100n
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IGDL -- VDS
Gate-to-Drain
Leak
Current,
I
GDL
--
A
ITR00640
ID=1mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3796-4 | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK3798 | 4 A, 900 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3798 | 4 A, 900 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3799 | 8 A, 900 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK381-11-B | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3796-2-TL-E | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2SK3796-3-TL-E | 功能描述:JFET Junction FET 30V 10mA Nch SMCP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2SK3796-4-TL-E | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2SK3797 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N 600V TO-220SIS 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET, N, 600V, TO-220SIS |
| 2SK3797(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 600V 13A 0.43@10V TO220SIS Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。