参数资料
型号: 2SK3799
元件分类: JFETs
英文描述: 8 A, 900 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN
文件页数: 4/6页
文件大小: 190K
代理商: 2SK3799
2SK3799
2010-01-29
4
DR
AIN
POWER
DISSI
P
A
T
IO
N
P
D
(
W
)
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
PD – Tc
80
40
0
40
80
120
160
20
60
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
GA
TE
THRES
H
OL
D
VOL
TAGE
V
th
(V)
Vth Tc
5
1
3
2
4
0
80
0
40
80
120
160
40
COMMON SOURCE
VDS = 10 V
ID = 1 mA
PULSE TEST
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
RDS (ON) Tc
DR
AIN
SOURC
E
ON
-R
ESI
S
TA
NC
E
R
DS
(ON)
(
Ω
)
0
5
1
3
2
4
40
80
160
0
40
80
COMMON SOURCE
VGS = 10 V
PULSE TEST
2
4
120
ID = 8 A
DRAIN
SOURCE VOLTAGE VDS (V)
IDR VDS
DR
AIN
REVER
S
E
CU
RR
EN
T
I DR
(
A
)
0.1
100
0.4
0
1.6
0.8
1.2
10
3
1
VGS = 0 V
COMMON SOURCE
Tc
= 25°C
PULSE TEST
5
1
GA
TE
SOURCE
V
OL
TAGE
V
GS
(
V
)
DYNAMIC INPUT/OUTPUT
CHARACTERISTICS
TOTAL GATE CHARGE Qg (nC)
DR
AIN
SO
URCE
VOL
TAGE
V
DS
(
V
)
500
100
300
400
0
20
4
12
16
0
VDD = 400 V
100
VGS
VDS
COMMON SOURCE
ID = 8 A
Tc
= 25°C
PULSE TEST
40
60
80
100
20
200
8
DRAIN
SOURCE VOLTAGE VDS (V)
C
VDS
CAP
A
CIT
A
NC
E
C
(p
F
)
10000
10
1
0.1
100
10
1
1000
100
Ciss
Coss
Crss
COMMON SOURCE
VGS = 0 V
f
= 1 MHz
Tc
= 25°C
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