参数资料
型号: 2SK3813-AZ
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251
标准包装: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.3 毫欧 @ 30A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: TO-251(MP-3)
包装: 散装
2SK3813
300
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
250
V GS = 10 V
100
200
10
T ch = ? 55°C
25°C
150
4.5 V
1
75°C
125°C
100
50
0.1
0.01
150°C
V DS = 10 V
0
Pulsed
0.001
Pulsed
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
4
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
10
1
0.1
V DS = 10 V
Pulsed
T ch = ? 55°C
25°C
75°C
125°C
150°C
-75
-25
25
75
125
175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
9
8
7
Pulsed
8
6
5
4
3
V GS = 4.5 V
10 V
6
4
2
2
I D = 30 A
1
0
0
Pulsed
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16739EJ3V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
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