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参数资料
| 型号： | 2SK3813-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 96nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251（MP-3） |
| 包装： | 散装 |
2SK3813
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
9
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
8
7
6
5
V GS = 4.5 V
10 V
10000
1000
C iss
C oss
4
3
2
I D = 30 A
100
C rss
1
0
Pulsed
10
-75
-25
25
75
125
175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = 20 V
35
I D = 60 A
14
V GS = 10 V
30
12
100
10
1
R G = 0 Ω
t d(of f )
t d( on)
t f
t r
25
20
15
10
5
0
V DD = 32 V
20 V
8V
V GS
V DS
10
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
1000
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
V GS = 10 V
0V
100
1
10
0.1
0.01
Pulsed
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16739EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SK3814-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Bulk |
| 2SK3814-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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