参数资料
型号: 2SK3813-AZ
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251
标准包装: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.3 毫欧 @ 30A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: TO-251(MP-3)
包装: 散装
2SK3813
100
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
100
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = 20 V
I AS = 37 A
E AS = 137 mJ
80
R G = 25 Ω
V GS = 20 → 0 V
I AS ≤ 37 A
60
10
40
V DD = 20 V
R G = 25 Ω
1
V GS = 20 → 0 V
Starting T ch = 25°C
20
0
1 μ
10 μ
100 μ
1m
10 m
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load - H
Data Sheet D16739EJ3V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - °C
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