型号: | 2SK3835 |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 50 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-3PML, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 37K |
代理商: | 2SK3835 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SK3846 | 26 A, 40 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3857TV-A | 0.37 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
2SK3889-01L | 9 A, 600 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3900-ZP | 82 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
2SK3977-TL | 10000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK3842(TE24L,Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
2SK3844(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
2SK3845(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
2SK3846(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 40V 26A TO220NIS |
2SK3847(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |