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参数资料
| 型号： | 2SK3943-ZP-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 41A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3943-ZP-E1-AYDKR |
2SK3943
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10
9
8
7
I D = 41 A
Pulsed
100000
10000
6
5
4
3
2
V GS = 5.5 V
10 V
1000
V GS = 0 V
C iss
C oss
1
0
100
f = 1 MHz
C rss
-75
-25
25
75
125
175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = 20 V
35
I D = 82 A
14
100
10
1
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
t d(off)
t d(on)
t f
t r
30
25
20
15
10
5
0
V DD = 32 V
20 V
8V
V DS
V GS
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current - A
Q G - Gate Charge - nC
SOURCE TO DRAIN DIODE
<R>
SOURCE TO DRAIN DIODE
1000
FORWARD VOLTAGE
1000
FORWARD VOLTAGE
T ch = ? 55°C
100
100
25°C
75°C
10
V GS = 10 V
0V
10
125°C
150°C
1
1
0.1
0.1
V GS = 0 V
0.01
Pulsed
0.01
Pulsed
0
0.5
1
1.5
0
0.5
1
1.5
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D17188EJ2V0DS
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
5
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