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参数资料
| 型号： | 2SK3943-ZP-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 41A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3943-ZP-E1-AYDKR |
2SK3943
1000
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1000
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
100
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
100
10
I AS = 43 A
V DD = 20 V
R G = 25 Ω
V GS = 20 → 0 V
Starting T ch = 25°C
E AS = 185mJ
1
0.1
1
10
100
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
I F - Diode Forward Current - A
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = 20 V
L - Inductive Load - mH
80
R G = 25 Ω
V GS = 20 → 0 V
I AS ≤ 43 A
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
Starting T ch - Starting Channel Temperature - °C
6
Data Sheet D17188EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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