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参数资料
| 型号： | 2SK4065-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 100A SMP |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12200pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.65W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | SMP |
| 包装： | 散装 |
Ordering number : ENA0324A
2SK4065
N-Channel Power MOSFET
75V, 100A, 6m Ω , TO-263-2L
Features
http://onsemi.com
?
?
ON-resistance RDS(on)1=4.6m Ω (typ.)
4V drive
?
Input capacitance Ciss=12200pF (typ.)
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
75
±20
100
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25°C
400
1.65
90
150
--55 to +150
735
70
A
W
W
°C
°C
mJ
A
Note : * 1 VDD=30V, L=200 μ H, IAV=70A (Fig.1)
* 2 L ≤ 200 μ H, single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7535-001
2SK4065-DL-1E
Product & Package Information
? Package : TO-263-2L
? JEITA, JEDEC : SC-83, TO-263
? Minimum Packing Quantity : 800 pcs./reel
10.0
4
4.5
1.3
8.0
5.3
Packing Type: DL
DL
Marking
K4065
LOT No.
0.254
1
2 3
1.27
Electrical Connection
2.54
0.8
2.54
0.5
2, 4
1 : Gate
2 : Drain
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
3 : Source
4 : Drain
TO-263-2L
1
3
53012 TKIM TC-00002767/41006QA MSIM TB-00002239 No. A0324-1/7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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