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参数资料
| 型号： | 2SK4065-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 100A SMP |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12200pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.65W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | SMP |
| 包装： | 散装 |
2SK4065
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=75V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
75
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=50A
1.2
47
78
2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=50A, VGS=10V
ID=50A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
See Fig.2
VDS=35V, VGS=10V, ID=100A
IS=100A, VGS=0V
4.6
5.7
12200
950
730
80
460
930
640
220
40
50
0.9
6.0
8.0
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
L
10V
VIN
VDD=35V
0V
≥ 50 Ω
VIN
ID=50A
RL=0.7 Ω
10V
0V
50 Ω
2SK4065
VDD
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
2SK4065
Ordering Information
P.G
50 Ω
S
Device
2SK4065-DL-1E
Package
TO-263-2L
Shipping
800pcs./reel
memo
Pb Free
No. A0324-2/7
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