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参数资料
| 型号： | 2SK4065-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 100A SMP |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12200pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.65W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | SMP |
| 包装： | 散装 |
2SK4065
200
180
ID -- VDS
Tc=25 ° C
Single pulse
200
180
VDS=10V
Single pulse
ID -- VGS
160
140
120
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
VGS=3V
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT10698
ID=50A
14
RDS(on) -- Tc
IT10699
Single pulse
25
Single pulse
12
10
20
S=
A,
I D=
A, V
I D=
15
10
Tc=75 ° C
8
6
4
50
50
VG
4V
=10
GS
V
5
0
25 ° C
--25 ° C
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
IT10700
3
2
VGS=0V
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT10701
100
7
Single pulse
100
7
5
3
Single pulse
Tc
25
5 °
75
5
3
2
10
7
=
--2
C
° C
° C
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
5
3
2
1.0
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT10702
VDD=35V
VGS=10V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT10703
f=1MHz
10k
1000
7
7
5
tf
5
3
3
2
tr
2
1k
Coss
100
7
5
td(on)
7
5
3
Crss
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
0
5
10
15
20
25
30
Drain Current, ID -- A
IT10704
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT10756
No. A0324-3/7
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