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参数资料
| 型号： | 2SK3943-ZP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 82 A, 40 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | 2SK3943-ZP |
Data Sheet D17188EJ2V0DS
7
2SK3943
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZP)
10.0±0.3
8.0
TYP.
2.54
0.75±0.2
9.15±0.3
2.54±0.25
15.25±0.5
1.35±0.3
2
4
2.5
4.45±0.2
1.3±0.2
0.6±0.2
0 to 8o
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
No plating
7.88 MIN.
0.025 to
0.25
13
0.5
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SK3979TP | 6000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3979TP-FA | 6000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3986-01MR | 3.6 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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