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参数资料
| 型号： | 2SK3984-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 18A TO-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 9A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3984-ZK-E1-AYDKR |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3984
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
ORDERING INFORMATION
The 2SK3984 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for high speed switching applications such as
class-D amplifier.
FEATURES
? Super low on-state resistance
R DS(on) = 71 m Ω TYP. (V GS = 10 V, I D = 9 A)
R DS(on) = 85 m Ω MAX. (V GS = 10 V, I D = 9 A)
? Low C iss : C iss = 750 pF TYP.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)
PART NUMBER
2SK3984-ZK
PACKAGE
TO-252 (MP-3ZK)
(TO-252)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC) (T C = 25°C)
V DSS
V GSS
I D(DC)
100
±20
±18
V
V
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
±45
A
Total Power Dissipation (T C = 25°C)
Total Power Dissipation (T A = 25°C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T1
P T2
T ch
T stg
30
1.0
150
? 55 to +150
W
W
°C
°C
Single Avalanche Energy
Note2
E AS
10
mJ
Repetitive Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Note3
Note3
I AR
E AR
10
10
A
mJ
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
R th(ch-C)
125
°C/W
Channel to Ambient Thermal Resistance R th(ch-A)
4.17
°C/W
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
2. Starting T ch = 25°C, V DD = 50 V, R G = 25 Ω , V GS = 20 → 0 V, L = 100 μ H
3. T ch(peak) ≤ 150°C, R G = 25 Ω
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sales representative for availability and additional information.
Document No. D17323EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2006 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark <R> shows major revised points.
2004
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3992-ZK-E1-AY | MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3991-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3991-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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