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参数资料
| 型号： | 2SK3992-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3Z） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2SK3992
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
8
V GS = 5.0 V
C iss
6
1000
4
10 V
C oss
2
0
I D = 32 A
Pulsed
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-100
-50
0
50
100
150
200
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
30
25
I D = 64 A
(V DD = 5.0 V at I D = 48 A)
V DD = 20 V
12
10
100
t f
t d(off)
20
15
12.5 V
5.0 V
8
6
10
V DD = 12.5 V
V GS = 10 V
R G = 10 ?
t r
t d(on)
10
5
V DS
V GS
4
2
1
0
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
10
V GS = 10 V
0V
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
1
0.1
Pulsed
0.01
10
0
0.5
1
1.5
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D17321EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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